雙載子與場效電晶體小訊號模型分析

📝 歷屆考古題

• 114年 初等考試 第27題
  當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？
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• 113年 初等考試 第29題
  有關 BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
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• 113年 初等考試 第32題
  某 MOS 場效電晶體的電流 ID=500 μA、參數 λ=\(0.025 V^{-1}\)，則其輸出阻抗 ro為何？
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• 112年 初等考試 第28題
  有關 MOSFET 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
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• 111年 初等考試 第29題
  關於雙載子電晶體 （BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
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• 110年 初等考試 第12題
  雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗 $r_o$，是下列何種效應所造成？
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• 110年 初等考試 第29題
  若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值$\beta =50$，爾利電壓（Early voltage, $V_A$）= 10 V，$g_m = 10\text{ mA/V}$…
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• 110年 初等考試 第40題
  在 BJT 電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？
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• 109年 初等考試 第28題
  MOSFET 的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻 $r_o$ 與下列何者成正比？
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• 109年 初等考試 第31題
  關於 MOSFET 的本質增益 $g_m r_o$，下列敘述何者正確？
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• 108年 初等考試 第25題
  下列有關操作於主動區的 BJT 小訊號等效模型敘述，何者錯誤？
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• 105年 初等考試 第5題
  雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）$g_m$定義為：
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• 105年 初等考試 第26題
  若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
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